VeTek Semiconductor 固体炭化ケイ素は、プラズマ エッチング装置の重要なセラミック部品である固体炭化ケイ素(CVD炭化ケイ素) エッチング装置の部品には次のものが含まれます。フォーカスリング固体炭化ケイ素(CVD炭化ケイ素)は塩素やフッ素を含むエッチングガスに対する反応性や導電性が低いため、プラズマエッチング装置のフォーカスリングなどに最適な材料です。コンポーネント。
例えば、フォーカスリングはウェハの外側に配置され、ウェハと直接接触する重要な部品です。リングに電圧を印加してリングを通過するプラズマを集中させ、プラズマをウェハ上に集中させ、均一性を向上させます。処理。従来のフォーカスリングはシリコンまたは石英一般的なフォーカスリングの材質として導電性シリコンはシリコンウエハの導電性にほぼ近いが、フッ素を含むプラズマでのエッチング耐性が劣るという欠点があり、一時期よく使われていたエッチング機部品の材質では深刻な問題が発生する腐食現象が発生し、生産効率が大幅に低下します。
SソリッドSiCフォーカスリング動作原理:
そしてベースフォーカスリングとCVD SiCフォーカスリングの比較:
そしてベースフォーカスリングとCVD SiCフォーカスリングの比較 | ||
アイテム | そして | CVD SiC |
密度 (g/cm3) | 2.33 | 3.21 |
バンドギャップ (eV) | 1.12 | 2.3 |
熱伝導率(W/cm℃) | 1.5 | 5 |
CTE (x10-6/℃) | 2.6 | 4 |
弾性率(GPa) | 150 | 440 |
硬度(GPa) | 11.4 | 24.5 |
耐摩耗性と耐腐食性 | 貧しい | 素晴らしい |
VeTek Semiconductor は、半導体装置向けの SiC 集束リングなどの高度な固体炭化ケイ素 (CVD 炭化ケイ素) 部品を提供しています。当社の固体炭化ケイ素集束リングは、機械的強度、耐薬品性、熱伝導率、高温耐久性、イオンエッチング耐性の点で従来のシリコンよりも優れています。
高密度によりエッチング速度が低下します。
バンドギャップが高く、絶縁性に優れています。
熱伝導率が高く、熱膨張率が低い。
機械的衝撃耐性と弾性に優れています。
硬度が高く、耐摩耗性、耐食性に優れています。
を使用して製造プラズマ化学蒸着 (PECVD)当社の SiC 集束リングは、半導体製造におけるエッチング プロセスの増大する需要に応えます。これらは、特に高いプラズマ出力とエネルギーに耐えるように設計されています。容量結合プラズマ (CCP)システム。
VeTek Semiconductor の SiC 集束リングは、半導体デバイス製造において優れた性能と信頼性を提供します。優れた品質と効率を実現するには、当社の SiC コンポーネントを選択してください。
VeTek Semiconductor は、中国の大手半導体装置メーカーであり、固体 SiC ディスク型シャワー ヘッドの専門メーカーおよびサプライヤーです。当社のディスク型シャワーヘッドは、反応ガスの均一な分布を確保するためにCVDプロセスなどの薄膜堆積生産で広く使用されており、CVD炉の中核コンポーネントの1つです。
続きを読むお問い合わせを送信VeTek Semiconductor は、中国における炭化ケイ素シャワーヘッド製品の大手メーカーおよびサプライヤーです。 SiC シャワーヘッドは、優れた高温耐性、化学的安定性、熱伝導率、良好なガス分散性能を備えており、均一なガス分散を実現し、膜品質を向上させることができます。したがって、通常は化学気相成長 (CVD) や物理気相成長 (PVD) プロセスなどの高温プロセスで使用されます。さらなるご相談を歓迎いたします。
続きを読むお問い合わせを送信中国の炭化ケイ素シールリングの専門メーカーおよび工場として、VeTek Semiconductor 炭化ケイ素シールリングは、その優れた耐熱性、耐食性、機械的強度、熱伝導性により、半導体処理装置で広く使用されています。これは、CVD、PVD、プラズマエッチングなどの高温および反応性ガスを伴うプロセスに特に適しており、半導体製造プロセスにおける重要な材料の選択です。さらにお問い合わせをお待ちしております。
続きを読むお問い合わせを送信VeTek Semiconductor は、CVD-SiC バルク ソース、CVD SiC コーティング、CVD TaC コーティングの研究開発と工業化に重点を置いています。 SiC結晶成長用のCVD SiCブロックを例にとると、製品加工技術は先進的で、成長速度が速く、高温耐性、耐食性が強いです。お問い合わせ歓迎です。
続きを読むお問い合わせを送信Vetek Semiconductor の化学気相成長 (CVD) によって形成された超高純度炭化ケイ素 (SiC) は、物理気相輸送 (PVT) によって炭化ケイ素結晶を成長させるための原料として使用できます。 SiC結晶成長新技術では、原料をるつぼに入れて種結晶上に昇華させます。廃棄された CVD-SiC ブロックを使用して、SiC 結晶成長の原料として材料をリサイクルします。私たちとのパートナーシップを確立することを歓迎します。
続きを読むお問い合わせを送信