ウエハ基板半導体単結晶材料で作られたウエハです。基板は、ウェーハ製造プロセスに直接入って半導体デバイスを製造することも、エピタキシャルプロセスによって処理してエピタキシャルウェーハを製造することもできる。
ウェハ基板は、半導体デバイスの基本的な支持構造として、デバイスの性能と安定性に直接影響します。半導体デバイス製造の「基礎」として、基板上で薄膜成長やリソグラフィーなどの一連の製造プロセスを行う必要があります。
基板の種類の概要:
●単結晶シリコンウェーハ: 現在最も一般的な基板材料であり、集積回路 (IC)、マイクロプロセッサ、メモリ、MEMS デバイス、パワーデバイスなどの製造に広く使用されています。
●SOI基板: 高周波アナログおよびデジタル回路、RF デバイス、電源管理チップなどの高性能、低電力集積回路に使用されます。
●化合物半導体基板:ガリウムヒ素基板(GaAs):マイクロ波、ミリ波通信デバイスなど 窒化ガリウム基板(GaN):RFパワーアンプ、HEMTなどに使用炭化ケイ素基板(SiC): 電気自動車、電力変換器、その他のパワーデバイスに使用されます。リン化インジウム基板 (InP): レーザー、光検出器などに使用されます。
●サファイア基板:LED製造、RFIC(高周波集積回路)などに使用されます。
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