炭化タンタルコーティング

VeTek Semiconductor は、半導体業界向けの炭化タンタルコーティング材料の大手メーカーです。当社の主な製品には、CVD 炭化タンタルコーティング部品、SiC 結晶成長または半導体エピタキシープロセス用の焼結 TaC コーティング部品が含まれます。 ISO9001 に合格した VeTek Semiconductor は、品質を適切に管理しています。 VeTek Semiconductor は、反復技術の継続的な研究開発を通じて、炭化タンタルコーティング業界のイノベーターになることに専念しています。

主な製品は、炭化タンタルコーティングのディフェクターリング、TaC コーティングされた分流リング、TaC コーティングされた半月部品、炭化タンタルコーティングされた遊星回転ディスク (Aixtron G10)、TaC コーティングされたるつぼ。 TaC コーティングリング; TaC コーティングされた多孔質グラファイト。炭化タンタルコーティンググラファイトサセプター; TaC コーティングされたガイドリング。 TaC 炭化タンタルコーティングプレート; TaC コーティングされたウェーハサセプタ; TaC コーティングリング; TaC コーティンググラファイトカバー; TaCコーティングチャンクなど、純度は5ppm以下であり、顧客の要求を満たすことができます。

TaC コーティンググラファイトは、独自の化学気相成長 (CVD) プロセスにより、高純度グラファイト基板の表面を炭化タンタルの微細層でコーティングすることによって作成されます。利点は下の写真に示されています。

Excellent properties of TaC coating graphite

炭化タンタル (TaC) コーティングは、最大 3880°C という高い融点、優れた機械的強度、硬度、および熱衝撃に対する耐性により注目を集めており、より高い温度要件が必要な化合物半導体エピタキシープロセスに代わる魅力的な代替品となっています。 Aixtron MOCVDシステムやLPE SiCエピタキシープロセスなど、PVT法によるSiC結晶成長プロセスにも幅広く応用できます。

主な特長:

●温度安定性

●超高純度

●H2、NH3、SiH4、Siに対する耐性

●熱ストックに対する耐性

●グラファイトとの接着力が強い

●絶縁保護コーティングの適用範囲

● 直径750mmまでのサイズ（このサイズに達するのは中国の唯一のメーカーです）

アプリケーション:

●ウェーハキャリア

●誘導加熱サセプター

●抵抗発熱体

●サテライトディスク

●シャワーヘッド

●ガイドリング

●LEDエピレシーバー

●インジェクションノズル

●マスキングリング

●遮熱板

微細断面に炭化タンタル（TaC）コーティング:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

VeTek Semiconductor タンタルカーバイドコーティングのパラメータ:

TaCコーティングの物性
密度	14.3 (g/cm3)
比放射率	0.3
熱膨張係数	6.3 10^-6/K
硬度（HK）	2000 香港
抵抗	1×10^-5オーム*センチメートル
熱安定性	<2500℃
グラファイトのサイズ変更	-10~-20μm
コーティングの厚さ	≥20um 代表値 (35um±10um)

TaCコーティングEDXデータ：

EDX data of TaC coating

TaCコーティングの結晶構造データ:

要素	原子パーセント
	ポイント1	ポイント2	ポイント3	平均
C K	52.10	57.41	52.37	53.96
彼ら	47.90	42.59	47.63	46.04

TaCコーティングチャック TaCコーティング遊星ディスク TaCコートプレート TaCコーティング回転板 TaCコーティング受け CVD TaCコーティングカバー CVD TaC コーティングリング TaCコーティングプレート

炭化ケイ素コーティング

VeTek Semiconductor は超高純度の炭化ケイ素コーティング製品の製造を専門とし、これらのコーティングは精製グラファイト、セラミック、高融点金属コンポーネントに適用されるように設計されています。

当社の高純度コーティングは、主に半導体およびエレクトロニクス産業での使用をターゲットとしています。これらは、ウェーハキャリア、サセプタ、および加熱要素の保護層として機能し、MOCVD や EPI などのプロセスで遭遇する腐食性および反応性環境からそれらを保護します。これらのプロセスは、ウェーハ処理とデバイス製造に不可欠です。さらに、当社のコーティングは、高真空、反応性、酸素環境にさらされる真空炉やサンプル加熱での用途に適しています。

VeTek Semiconductor では、高度な機械工場の機能を備えた包括的なソリューションを提供します。これにより、グラファイト、セラミック、または高融点金属を使用して基本コンポーネントを製造し、社内で SiC または TaC セラミックコーティングを適用することが可能になります。また、お客様支給部品の塗装サービスも行っており、多様なニーズに柔軟に対応いたします。

当社の炭化ケイ素コーティング製品は、Siエピタキシー、SiCエピタキシー、MOCVDシステム、RTP/RTAプロセス、エッチングプロセス、ICP/PSSエッチングプロセス、青色および緑色LED、UV LED、深紫外を含むさまざまなタイプのLEDのプロセスで広く使用されています。 LPE、Aixtron、Veeco、Nuflare、TEL、ASM、Annialsys、TSIなどの機器に適合するLEDなど。

私たちができるリアクター部品:

炭化ケイ素コーティングにはいくつかのユニークな利点があります。

Silicon Carbide Coating several unique advantages

VeTek 半導体炭化ケイ素コーティングパラメータ:

CVD SiCコーティングの基本物性
財産	代表値
結晶構造	FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度	3.21 g/cm3
硬度	ビッカース硬度 2500（500g荷重）
粒径	2～10μm
化学純度	99.99995%
熱容量	640 J·kg-1·K-1
昇華温度	2700℃
曲げ強度	415MPa RT 4点
ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率	300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)	4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

ウエハ

ウエハ基板半導体単結晶材料で作られたウエハです。基板は、ウェーハ製造プロセスに直接入って半導体デバイスを製造することも、エピタキシャルプロセスによって処理してエピタキシャルウェーハを製造することもできる。

ウェハ基板は、半導体デバイスの基本的な支持構造として、デバイスの性能と安定性に直接影響します。半導体デバイス製造の「基礎」として、基板上で薄膜成長やリソグラフィーなどの一連の製造プロセスを行う必要があります。

基板の種類の概要:

●単結晶シリコンウェーハ: 現在最も一般的な基板材料であり、集積回路 (IC)、マイクロプロセッサ、メモリ、MEMS デバイス、パワーデバイスなどの製造に広く使用されています。

●SOI基板: 高周波アナログおよびデジタル回路、RF デバイス、電源管理チップなどの高性能、低電力集積回路に使用されます。

●化合物半導体基板：ガリウムヒ素基板（GaAs）：マイクロ波、ミリ波通信デバイスなど窒化ガリウム基板（GaN）：RFパワーアンプ、HEMTなどに使用炭化ケイ素基板（SiC）: 電気自動車、電力変換器、その他のパワーデバイスに使用されます。リン化インジウム基板 (InP): レーザー、光検出器などに使用されます。

●サファイア基板：LED製造、RFIC（高周波集積回路）などに使用されます。

Vetek Semiconductor は、中国の SiC 基板および SOI 基板の専門サプライヤーです。私たちの4H半絶縁型SiC基板そして4H半絶縁型SiC基板半導体製造装置の主要部品に広く使用されています。

Vetek Semiconductor は、半導体業界向けに、高度でカスタマイズ可能なウェーハ基板製品とさまざまな仕様の技術ソリューションを提供することに尽力しています。 中国のサプライヤーになることを心から楽しみにしています.

ALD

Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).

Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.

Atomic layer deposition process:

Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.

Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.

Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.

1st Half-Cycle Purge 2nd Half-Cycle Purge

Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):

1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes

Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.

Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:

PVD technology	CVD technology	ALD technology
Faster deposition rate	Average deposition rate	Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision	Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles)	Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality	The coating has a single directionality	Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity	Average step coverage	Best step coverage
Poor step coverage	\	Dense film without pinholes

Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)

Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.