炭化タンタルコーティング

VeTek Semiconductor は、半導体業界向けの炭化タンタルコーティング材料の大手メーカーです。当社の主な製品には、CVD 炭化タンタルコーティング部品、SiC 結晶成長または半導体エピタキシープロセス用の焼結 TaC コーティング部品が含まれます。 ISO9001 に合格した VeTek Semiconductor は、品質を適切に管理しています。 VeTek Semiconductor は、反復技術の継続的な研究開発を通じて、炭化タンタルコーティング業界のイノベーターになることに専念しています。

主な製品は、炭化タンタルコーティングのディフェクターリング、TaCコーティングの分流リング、TaCコーティングのハーフムーンパーツ、炭化タンタルコーティングの遊星回転ディスク（Aixtron G10）、TaCコーティングのるつぼです。 TaC コーティングリング; TaC コーティングされた多孔質グラファイト。炭化タンタルコーティンググラファイトサセプター; TaC コーティングされたガイドリング。 TaC 炭化タンタルコーティングプレート; TaC コーティングされたウェーハサセプタ; TaC コーティングリング; TaC コーティンググラファイトカバー; TaCコートチャンク等、純度5ppm以下でお客様のご要望にお応えします。

TaC コーティンググラファイトは、独自の化学気相成長 (CVD) プロセスにより、高純度グラファイト基板の表面を炭化タンタルの微細層でコーティングすることによって作成されます。利点は下の写真に示されています。

炭化タンタル (TaC) コーティングは、最大 3880°C という高い融点、優れた機械的強度、硬度、および熱衝撃に対する耐性により注目を集めており、より高い温度要件が必要な化合物半導体エピタキシープロセスに代わる魅力的な代替品となっています。 Aixtron MOCVDシステムやLPE SiCエピタキシープロセスなど、PVT法によるSiC結晶成長プロセスにも幅広く応用できます。

VeTek Semiconductor タンタルカーバイドコーティングのパラメータ:

TaCコーティングの物性
密度	14.3 (g/cm3)
比放射率	0.3
熱膨張係数	6.3 10-6/K
硬度（HK）	2000 香港
抵抗	1×10-5オーム*cm
熱安定性	<2500℃
グラファイトのサイズ変更	-10~-20μm
膜厚	≥20um 代表値 (35um±10um)

TaCコーティングEDXデータ

TaCコーティングの結晶構造データ

要素	原子パーセント
	ポイント1	ポイント2	ポイント3	平均
C K	52.10	57.41	52.37	53.96
タ・ム	47.90	42.59	47.63	46.04

TaCコーティングチャック TaCコーティング遊星ディスク TaCコートプレート TaCコーティング回転板 TaCコーティングサセプター CVD TaCコーティングカバー CVD TaC コーティングリング TaCコーティングプレート

炭化ケイ素コーティング

VeTek Semiconductor は超高純度の炭化ケイ素コーティング製品の製造を専門とし、これらのコーティングは精製グラファイト、セラミック、高融点金属コンポーネントに適用されるように設計されています。

当社の高純度コーティングは、主に半導体およびエレクトロニクス産業での使用をターゲットとしています。これらは、ウェーハキャリア、サセプタ、および加熱要素の保護層として機能し、MOCVD や EPI などのプロセスで遭遇する腐食性および反応性環境からそれらを保護します。これらのプロセスは、ウェーハ処理とデバイス製造に不可欠です。さらに、当社のコーティングは、高真空、反応性、酸素環境にさらされる真空炉やサンプル加熱での用途に適しています。

VeTek Semiconductor では、高度な機械工場の機能を備えた包括的なソリューションを提供します。これにより、グラファイト、セラミック、または高融点金属を使用して基本コンポーネントを製造し、社内で SiC または TaC セラミックコーティングを適用することが可能になります。また、お客様支給部品の塗装サービスも行っており、多様なニーズに柔軟に対応いたします。

当社の炭化ケイ素コーティング製品は、Siエピタキシー、SiCエピタキシー、MOCVDシステム、RTP/RTAプロセス、エッチングプロセス、ICP/PSSエッチングプロセス、青色および緑色LED、UV LED、深紫外を含むさまざまなタイプのLEDのプロセスで広く使用されています。 LPE、Aixtron、Veeco、Nuflare、TEL、ASM、Annialsys、TSIなどの機器に適合するLEDなど。

私たちができるリアクター部品:

炭化ケイ素コーティングにはいくつかのユニークな利点があります。

VeTek 半導体炭化ケイ素コーティングパラメータ:

CVD SiCコーティングの基本物性
財産	標準値
結晶構造	FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度	3.21 g/cm3
硬度	ビッカース硬度2500（500g荷重）
粒径	2～10μm
化学純度	99.99995%
熱容量	640J・kg-1・K-1
昇華温度	2700℃
曲げ強度	415MPa RT 4点
ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率	300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)	4.5×10-6K-1