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CVD SiCコーティング発熱体
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CVD SiCコーティング発熱体

CVD SiC コーティング発熱体は、PVD 炉 (蒸着) で材料を加熱する際の中核的な役割を果たします。 VeTek Semiconductor は、中国の大手 CVD SiC コーティング発熱体メーカーです。当社は高度な CVD コーティング能力を備えており、カスタマイズされた CVD SiC コーティング製品を提供できます。 VeTek Semiconductor は、SiC コーティングされた発熱体のパートナーになることを楽しみにしています。

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製品説明

CVD SiC コーティング発熱体は主に PVD ​​(物理蒸着) 装置で使用されます。蒸着プロセスでは、材料を加熱して蒸着またはスパッタリングを行い、最終的に基板上に均一な薄膜を形成します。


Ⅰ.特定の用途

薄膜堆積:CVD SiCコーティング発熱体を蒸発源またはスパッタリング源に使用します。この素子は加熱することで蒸着する材料を高温に加熱し、その原子や分子を材料の表面から切り離し、蒸気やプラズマを形成します。当社の発熱体ベースの SiC コーティングは、一部の金属またはセラミック材料を直接加熱して真空環境で蒸発または昇華させ、PVD プロセスの材料ソースとして使用することもできます。この構造には同心円状の溝があるため、電流経路と熱分布をより適切に制御して加熱の均一性を確保できます。

Schematic diagram of the evaporation PVD process

蒸着PVDプロセスの模式図

Ⅱ.動作原理

抵抗加熱では、SICコートヒーターの抵抗経路に電流が流れるとジュール熱が発生し、加熱効果が得られます。同心円構造により、電流が均一に分散されます。通常、温度を監視および調整するために、温度制御装置が要素に接続されます。


Ⅲ.材料と構造の設計

CVD SiCコーティング発熱体は高純度グラファイトとSiCコーティングを採用し、高温環境にも対応します。高純度黒鉛自体は熱分野材料として広く使用されています。黒鉛の表面にCVD法によりコーティング層を形成することにより、高温安定性、耐食性、熱効率などがさらに向上します。



同心円状の溝の設計により、電流がディスク表面に均一なループを形成することができます。均一な熱分布を実現し、特定の領域への集中による局所的な過熱を回避し、電流の集中による追加の熱損失を低減し、加熱効率を向上させます。


CVD SiC コーティング発熱体は 2 本の脚と 1 つの本体で構成されます。各脚には電源に接続するネジが付いています。 VeTek Semiconductor は、一体部品または分割部品 (脚と本体を別々に作成してから組み立てる) を製造できます。 CVD SiCコートヒーターに関するどんなご要望でもお気軽にご相談ください。 VeTekSemi は、お客様が必要とする製品を提供できます。


CVD SiCコーティングの基本物性:


CVD SiCコーティングの基本物性
財産
代表値
結晶構造
FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度
3.21 g/cm3
硬度
ビッカース硬度 2500(500g荷重)
粒径
2~10μm
化学純度
99.99995%
熱容量
640J・kg-1・K-1
昇華温度
2700℃
曲げ強度
415MPa RT 4点
ヤング率
430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率
300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)
4.5×10-6K-1

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