CVD SiCコーティングバレルサセプタ

エピタキシー成長とは、単結晶基板（基板）上に単結晶膜（単結晶層）を成長させるプロセスです。この単結晶膜をエピ層と呼びます。エピ層と基板が同じ材料でできている場合、それはホモエピタキシャル成長と呼ばれます。それらが異なる材料で作られている場合、それはヘテロエピタキシャル成長と呼ばれます。

エピタキシャル反応室の構造により、横型と縦型の2種類があります。縦型エピタキシャル炉のサセプタは稼働中に連続回転するため、均一性が良く生産量が多く、エピタキシャル成長ソリューションの主流となっています。CVD SiCコーティングバレルサセプタはバレル型エピタキシャル炉の中核部品です。 VeTek Semiconductor は、EPI 向けの SiC コーティングされたグラファイト バレル サセプターの製造専門家です。

MOCVD や HVPE などのエピタキシャル成長装置では、SiC コーティングされたグラファイト バレル サセプターを使用してウェーハを固定し、成長プロセス中にウェーハが安定した状態を維持できるようにします。ウェーハはバレル型サセプタ上に配置されます。製造プロセスが進行するにつれて、サセプタは継続的に回転してウェーハを均一に加熱し、同時にウェーハ表面は反応ガスの流れにさらされ、最終的に均一なエピタキシャル成長が達成されます。

CVD SiCコーティングバレル型サセプタの概略図

エピタキシャル成長炉は腐食性ガスが充満した高温環境です。このような過酷な環境を克服するために、VeTek Semiconductor は CVD 法によってグラファイト バレル サセプターに SiC コーティング層を追加し、SiC コーティングされたグラファイト バレル サセプターを取得しました。

構造上の特徴:

●  均一な温度分布: 樽型構造により、熱がより均一に分散され、局所的な過熱または冷却によるウェーハの応力や変形を回避できます。

●  気流の乱れを軽減: 樽型サセプターの設計により、反応チャンバー内の空気流の分布が最適化され、ガスがウェーハ表面にスムーズに流れることができ、平坦で均一なエピタキシャル層の生成に役立ちます。

●  回転機構: 樽型サセプタの回転機構により、エピタキシャル層の厚さの均一性と材料特性が向上します。

●  大規模生産: バレル形状のサセプタは、200 mm または 300 mm ウェーハなどの大型ウェーハを搬送しながら構造の安定性を維持できるため、大規模な量産に適しています。

VeTek Semiconductor CVD SiC コーティングバレル型サセプタは、高純度グラファイトと CVD SIC コーティングで構成されており、サセプタは腐食性ガス環境で長時間動作することができ、優れた熱伝導率と安定した機械的サポートを備えています。ウェーハが均一に加熱されるようにして、正確なエピタキシャル成長を実現します。

CVD SiCコーティングの基本物性

CVD SiCコーティングの基本物性
財産	代表値
結晶構造	FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度	3.21 g/cm3
硬度	ビッカース硬度 2500（500g荷重）
粒度	2～10μm
化学純度	99.99995%
熱容量	640J・kg-1・K-1
昇華温度	2700℃
曲げ強度	415MPa RT 4点
ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率	300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)	4.5×10-6K-1

VeTek Semiconductor CVD SiC コーティングバレル型サセプタ