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LPE PE2061S 用 SiC コーティングバレルサセプター
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LPE PE2061S 用 SiC コーティングバレルサセプター

VeTek Semiconductor は、中国の LPE PE2061S 用 SiC コーティング バレル サセプタの大手メーカーおよびイノベーターです。当社は長年にわたり SiC コーティング材料に特化してきました。LPE PE2061S 4 インチ ウェーハ用に特別に設計された SiC コーティング バレル サセプタを提供しています。このサセプタは、LPE (液相エピタキシー) プロセス中の性能と耐久性を向上させる耐久性のある炭化ケイ素コーティングを備えています。中国の当社工場を訪問することを歓迎します。

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製品説明


VeTek Semiconductor は、中国向けの専門的な SiC コーティング バレル サセプタです。LPE PE2061Sメーカーとサプライヤー。

VeTeK Semiconductor の LPE PE2061S 用 SiC コーティングバレルサセプタは、高純度等方性グラファイトの表面に炭化ケイ素の微細層を塗布することによって作成された高性能製品です。これは、VeTeK Semiconductor 独自の化学蒸着 (CVD)プロセス。

当社の LPE PE2061S 用 SiC コーティング バレル サセプタは、CVD エピタキシャル蒸着バレル リアクタの一種で、極限環境でも信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。優れたコーティング密着性、高温酸化耐性、耐食性により、過酷な条件での使用に最適です。さらに、均一な熱プロファイルと層流ガス流パターンにより汚染が防止され、高品質のエピタキシャル成長が保証されます。

当社の半導体の樽型デザインエピタキシャル炉層流ガス流パターンを最適化し、均一な熱分布を確保します。これにより、汚染や不純物の拡散を防ぐことができます。ウェーハ基板上で高品質のエピタキシャル成長を保証.

当社はお客様に高品質でコスト効率の高い製品を提供することに専念しています。当社の CVD SiC コーティングバレルサセプタは、優れた密度を維持しながら、価格競争力の利点を提供します。グラファイト基板そして炭化ケイ素コーティング、高温および腐食性の作業環境において信頼性の高い保護を提供します。


CVD SIC膜結晶構造のSEMデータ:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


SiCコーティングされた単結晶成長用バレルサセプタは、非常に高い表面平滑性を示します。

グラファイト基板と基板の熱膨張係数の差を最小限に抑えます。

炭化ケイ素コーティングにより、接着強度を効果的に向上させ、ひび割れや層間剥離を防ぎます。

グラファイト基板と炭化ケイ素コーティングはいずれも高い熱伝導率と優れた熱分散能力を備えています。

融点が高く、高温です耐酸化性、 そして耐食性.



CVD SiCコーティングの基本物性:

CVD SiCコーティングの基本物性
財産 代表値
結晶構造 FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度 3.21 g/cm3
硬度 ビッカース硬度2500(500g荷重)
粒径 2~10μm
化学純度 99.99995%
熱容量 640J・kg-1・K-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415MPa RT 4点
ヤング率 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


VeTek Semiconductor LPE PE2061S 用 SiC コーティング バレル サセプタ 製造ショップ:

SiC Coated Barrel Susceptor for LPE PE2061S Production Shop


半導体チップエピタキシー産業チェーンの概要:

semiconductor chip epitaxy industry chain


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