CVD TaCコーティングウェーハキャリア

半導体製造プロセスにおいて、VeTek Semiconductor のCVD TaCコーティングウェーハキャリアウエハを搬送するためのトレイです。この製品は、化学蒸着 (CVD) プロセスを使用して、表面に TaC コーティングの層をコーティングします。ウェハキャリア基板。このコーティングは、処理中の粒子汚染を軽減しながら、ウェーハキャリアの耐酸化性と耐食性を大幅に向上させることができます。半導体プロセスにおける重要なコンポーネントです。

VeTek セミコンダクターのCVD TaCコーティングウェーハキャリア基板と炭化タンタル (TaC) コーティング.

炭化タンタルコーティングの厚さは通常 30 ミクロンの範囲にあり、TaC は 3,880°C もの融点を持ち、とりわけ優れた耐食性と耐摩耗性を備えています。

キャリアの母材は高純度グラファイトまたは炭化ケイ素（SiC）その後、CVDプロセスによって表面にTaC（ヌープ硬度2000HKまで）の層をコーティングし、耐食性と機械的強度を向上させます。

VeTek Semiconductor の CVD TaC コーティング ウェーハ キャリアは通常ウエハ搬送工程において以下の役割を果たします。:

ウェーハのロードと固定: 炭化タンタルのヌープ硬度は 2000HK と高く、反応室内でのウェーハの安定した支持を効果的に確保できます。 TaC の優れた熱伝導率（熱伝導率は約 21 W/mK）と組み合わせることで、ウェーハ表面が均一に加熱され、均一な温度分布が維持され、均一なエピタキシャル層の成長が実現します。

粒子汚染を軽減する: CVD TaC コーティングの滑らかな表面と高硬度は、キャリアとウェーハ間の摩擦を軽減し、高品質の半導体デバイス製造の鍵となる粒子汚染のリスクを軽減します。

高温安定性: 半導体プロセス中の実際の動作温度は通常 1,200°C から 1,600°C の間であり、TaC コーティングの融点は 3,880°C にもなります。低い熱膨張係数 (熱膨張係数は約 6.3 × 10⁻⁶/°C) と組み合わせることで、キャリアは高温条件下でも機械的強度と寸法安定性を維持でき、処理中のウェハーの亀裂や応力変形を防ぎます。

微細断面に炭化タンタル（TaC）コーティング:

CVD TaCコーティングの基本物性：