VeTek Semiconductor の SiC コーティング ICP エッチング キャリアは、最も要求の厳しいエピタキシー装置アプリケーション向けに設計されています。高品質の超高純度グラファイト材料で作られた当社の SiC コーティング ICP エッチングキャリアは、非常に平坦な表面と優れた耐食性を備えており、取り扱い時の過酷な条件に耐えます。 SiC コーティングされたキャリアの高い熱伝導率により、均一な熱分布が保証され、優れたエッチング結果が得られます。 VeTek Semiconductor は、お客様と長期的なパートナーシップを構築できることを楽しみにしています。
SiC コーティングされた ICP エッチング キャリアの生産における長年の経験により、VeTek Semiconductor は幅広い製品を供給できます。SiCコーティングまたはTaCコーティング半導体産業向けのスペアパーツ。以下の製品リストに加えて、特定のニーズに応じて独自の SiC コーティングまたは TaC コーティング部品をカスタマイズすることもできます。お問い合わせを歓迎します。
ヴェテック・セミコンダクターの SiC コーティング ICP エッチング キャリアは、ICP キャリア、PSS キャリア、RTP キャリア、または RTP キャリアとも呼ばれ、半導体業界のさまざまなアプリケーションで使用される重要なコンポーネントです。炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトは、これらの電流キャリアの製造に使用される主な材料です。熱伝導率が高く、サファイア基板の10倍以上です。この特性は、その高いローラー電界強度および最大電流密度と組み合わされて、さまざまな用途、特に半導体高出力コンポーネントにおけるシリコンの代替品としての炭化ケイ素の探索を促してきました。 SiC 電流キャリアプレートは熱伝導率が高いため、LEDの製造工程。
効率的な放熱と優れた導電性を確保し、高出力 LED の製造に貢献します。さらに、これらのキャリアプレートは優れた特性を備えています。プラズマ耐性長い耐用年数を備え、要求の厳しい半導体製造環境において信頼性の高い性能と寿命を保証します。
基本物性CVD SiCコーティング | |
財産 | 代表値 |
結晶構造 | FCC β 相多結晶、主に (111) 配向 |
密度 | 3.21 g/cm3 |
硬度 | ビッカース硬度2500(500g荷重) |
粒径 | 2~10μm |
化学純度 | 99.99995% |
熱容量 | 640J・kg-1・K-1 |
昇華温度 | 2700℃ |
曲げ強度 | 415MPa RT 4点 |
ヤング率 | 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃ |
熱伝導率 | 300W・m-1・K-1 |
熱膨張(CTE) | 4.5×10-6K-1 |