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CVD SiC コーティングバレルサセプタ
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CVD SiC コーティングバレルサセプタ

VeTek Semiconductor は、中国における CVD SiC コーティング バレル サセプタの大手メーカーおよび革新者です。当社のCVD SiCコーティングバレルサセプタは、その優れた製品特性により、ウェハ上での半導体材料のエピタキシャル成長を促進する上で重要な役割を果たします。さらなるご相談を歓迎します。

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製品説明

VeTek 半導体 CVD SiC コーティング バレル サセプターは、エピタキシャルプロセス半導体製造において、製品の品質と歩留まりを向上させるための理想的な選択肢です。このSiCコーティングバレルサセプタベースは固体グラファイト構造を採用しており、SiC層で正確にコーティングされています。CVDプロセス、優れた熱伝導性、耐食性、高温耐性を備えており、エピタキシャル成長中の過酷な環境に効果的に対処できます。


VeTek 半導体 CVD SiC コーティングを選択する理由バレルレシーバー?


均一な加熱によりエピタキシャル層の品質を確保: SiC コーティングの優れた熱伝導率により、ウェーハ表面の温度分布が均一になり、欠陥が効果的に減少し、製品の歩留まりが向上します。

ベースの耐用年数を延長します: のSiCコーティング優れた耐食性と高温耐性を備えており、ベースの耐用年数を効果的に延長し、生産コストを削減できます。

生産効率の向上: バレル設計により、ウェーハのロードおよびアンロードのプロセスが最適化され、生産効率が向上します。

さまざまな半導体材料に適用可能: このベースは、SiCやSiCなどのさまざまな半導体材料のエピタキシャル成長に広く使用できます。GaN.


CVD SiC コーティングバレルサセプタの利点:


 ●優れた熱性能:高い熱伝導率と熱安定性により、エピタキシャル成長時の温度制御精度を確保します。

 ●耐食性: SiC コーティングは高温や腐食性ガスの侵食に効果的に抵抗し、ベースの耐用年数を延ばします。

 ●高強度: グラファイトベースが強固なサポートを提供し、エピタキシャルプロセスの安定性を確保します。

 ●カスタマイズされたサービス: VeTek 半導体は、顧客のニーズに応じてカスタマイズされたサービスを提供し、さまざまなプロセス要件を満たすことができます。


CVD SIC膜の結晶構造のSEMデータ:


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SiCコーティングの基本物性:


CVD SiCコーティングの基本物性
財産
代表値
結晶構造
FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度
3.21 g/cm3
硬度
ビッカース硬度2500(500g荷重)
粒度
2~10μm
化学純度
99.99995%
熱容量
640J・kg-1・K-1
昇華温度
2700℃
曲げ強度
415MPa RT 4点
ヤング率
430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率
300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)
4.5×10-6K-1

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