CVD SiC コーティング ノズル

VeTek Semiconductor は、CVD SiC コーティング ハーフムーン部品やその付属品 CVD SiC コーティング ノズルなどのエピタキシャル デバイス用 CVD SiC コーティング アクセサリの専門メーカーです。お問い合わせを歓迎します。

PE1O8 は、最大 200mm の SiC ウェーハを処理できるように設計された全自動カートリッジツーカートリッジ システムです。フォーマットは 150 mm と 200 mm の間で切り替えることができるため、ツールのダウンタイムが最小限に抑えられます。加熱ステージの削減により生産性が向上し、自動化により労力が軽減され、品質と再現性が向上します。効率的でコスト競争力のあるエピタキシープロセスを保証するために、3 つの主な要因が報告されています。1) 高速プロセス、2) 厚さとドーピングの高い均一性、3) エピタキシープロセス中の欠陥形成の最小化。 PE1O8 では、小さなグラファイト質量と自動ロード/アンロード システムにより、標準的な実行を 75 分未満で完了できます (標準的な 10μm ショットキー ダイオードの配合では 30μm/h の成長速度が使用されます)。自動システムにより、高温での積み降ろしが可能です。その結果、加熱と冷却の時間が短くなり、焼成工程が抑制されます。この理想的な条件により、真のアンドープ材料の成長が可能になります。

炭化ケイ素エピタキシーのプロセスにおいて、CVD SiC コーティング ノズルはエピタキシャル層の成長と品質において重要な役割を果たします。炭化ケイ素エピタキシーにおけるノズルの役割を詳しく説明すると、次のようになります。

ガスの供給と制御: ノズルは、シリコン ソース ガスや炭素ソース ガスなど、エピタキシー中に必要なガス混合物を供給するために使用されます。ノズルを通じてガス流量と比率を正確に制御して、エピタキシャル層と所望の化学組成を均一に成長させることができます。

温度制御: ノズルは、エピタキシー リアクター内の温度制御にも役立ちます。炭化ケイ素のエピタキシーでは、温度は成長速度と結晶品質に影響を与える重要な要素です。ノズルを通して熱または冷却ガスを供給することにより、エピタキシャル層の成長温度を最適な成長条件に調整できます。

ガス流の分布: ノズルの設計は、反応器内のガスの均一な分布に影響します。均一なガス流分布により、エピタキシャル層の均一性と一貫した厚さが保証され、材料品質の不均一性に関連する問題が回避されます。

不純物汚染の防止: ノズルの適切な設計と使用は、エピタキシープロセス中の不純物汚染の防止に役立ちます。適切なノズル設計により、外部不純物が反応炉に侵入する可能性が最小限に抑えられ、エピタキシャル層の純度と品質が保証されます。

CVD SiC コーティングの基本物性:

生産ショップ：

半導体チップのエピタキシー産業チェーンの概要: