G5用GaNエピタキシャルグラファイトサセプタ

VeTek Semiconductor は、中国の G5 用 GaN エピタキシャル グラファイト サセプタの専門メーカーおよびサプライヤーです。 G5 用の GaN エピタキシャル グラファイト サセプタは、高品質の窒化ガリウム (GaN) 薄膜を成長させるための Aixtron G5 有機金属化学気相成長 (MOCVD) システムで使用される重要なコンポーネントであり、均一な温度を確保する上で重要な役割を果たします。分配、効率的な熱伝達、成長プロセス中の汚染の最小限に抑えます。

VeTek Semiconductor GaN エピタキシャル グラファイト サセプタ G5 の主な特徴:

-高純度: サセプターは CVD コーティングを施した高純度グラファイトで作られており、成長する GaN 膜の汚染を最小限に抑えます。

-優れた熱伝導率: グラファイトの高い熱伝導率 (150-300 W/(m・K)) により、サセプター全体の均一な温度分布が確保され、安定した GaN 膜の成長が実現します。

-低熱膨張：サセプタの熱膨張係数が低いため、高温成長プロセス中の熱応力や亀裂が最小限に抑えられます。

- 化学的不活性: グラファイトは化学的に不活性で、GaN 前駆体と反応せず、成長した膜内に不要な不純物が混入するのを防ぎます。

-Aixtron G5 との互換性: サセプターは、Aixtron G5 MOCVD システムで使用するために特別に設計されており、適切なフィット感と機能性を保証します。

アプリケーション:

高輝度 LED: GaN ベースの LED は高効率と長寿命を実現し、一般照明、自動車照明、ディスプレイ用途に最適です。

高出力トランジスタ: GaN トランジスタは、電力密度、効率、スイッチング速度の点で優れた性能を発揮するため、パワー エレクトロニクス アプリケーションに適しています。

レーザー ダイオード: GaN ベースのレーザー ダイオードは高効率と短波長を実現し、光ストレージや通信アプリケーションに最適です。

G5用GaNエピタキシャルグラファイトサセプタの製品パラメータ

注：コーティング前に一次精製を行い、コーティング後に二次精製を行います。

VeTek 半導体製造工場