CVD SiCコーティングリング

CVD SiCコーティングリングはハーフムーンパーツの重要なパーツの一つです。他の部品とともにSiCエピタキシャル成長反応室を形成します。 VeTek Semiconductor は、CVD SiC コーティングリングの専門メーカーおよびサプライヤーです。お客様の設計要件に応じて、対応するCVD SiCコーティングリングを最も競争力のある価格で提供できます。 VeTek Semiconductor は、中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

半月部分には小さなパーツがたくさんありますが、SiCコーティングリングもその一つです。CVD SiCコーティング高純度グラファイトリングの表面にCVD法によりCVD SiCコーティングリングを得ることができます。 SiCコーティングを施したSiCコーティングリングは、耐高温性、優れた機械的特性、化学的安定性、良好な熱伝導性、良好な電気絶縁性、優れた耐酸化性などの優れた特性を備えています。CVD SiCコーティングリングとSiCコーティング葬儀屋一緒に働きます。

SiC coating ring and cooperating susceptor

SiCコーティングリングと連携葬儀屋

CVD SiCコーティングリングの機能:

● 流量分布: SiC コーティングリングの幾何学的デザインは、均一なガス流域の形成に役立ち、反応ガスが基板の表面を均一に覆うことができ、均一なエピタキシャル成長を保証します。

● 熱交換と温度均一性: CVD SiC コーティングリングは良好な熱交換性能を提供し、それによって CVD SiC コーティングリングと基板の均一な温度を維持します。これにより、温度変動による結晶欠陥を回避できます。

● インターフェースのブロッキング: CVD SiC コーティングリングは反応物の拡散をある程度制限し、特定の領域で反応させ、高品質の SiC 結晶の成長を促進します。

● サポート機能: CVD SiC コーティングリングは下のディスクと結合して安定した構造を形成し、高温および反応環境下での変形を防ぎ、反応チャンバーの全体的な安定性を維持します。

VeTek Semiconductor は、お客様に高品質の CVD SiC コーティングリングを提供し、お客様が最も競争力のある価格でソリューションを完成できるよう支援することに常に取り組んでいます。どのようなCVD SiCコーティングリングが必要な場合でも、VeTek Semiconductorにお気軽にご相談ください。

CVD SIC膜結晶構造のSEMデータ：

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SiCコーティングの基本物性：

CVD SiCコーティングの基本物性
財産	代表値
結晶構造	FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度	3.21 g/cm3
硬度	ビッカース硬度2500（500g荷重）
粒径	2～10μm
化学純度	99.99995%
熱容量	640J・kg^-1・K^-1
昇華温度	2700℃
曲げ強度	415MPa RT 4点
ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率	300W・m^-1・K^-1
熱膨張(CTE)	4.5×10^-6K^-1