CVD SiCシャワーヘッド
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CVD SiCシャワーヘッド

VeTek Semiconductor は、中国の大手 CVD SiC シャワー ヘッド メーカーおよびイノベーターです。当社は長年にわたり SiC 材料に特化してきました。CVD SiC シャワー ヘッドは、その優れた熱化学的安定性、高い機械的強度、耐衝撃性により、フォーカス リングの材料として選ばれています。プラズマ浸食。私たちは、中国での長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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製品説明

当社の工場からCVD SiCシャワーヘッドを安心して購入できます。 VeTek Semiconductor CVD SiC シャワー ヘッドは、高度な化学蒸着 (CVD) 技術を使用して固体炭化ケイ素 (SiC) から作られています。 SiC は、その卓越した熱伝導性、耐薬品性、機械的強度により選ばれており、CVD SiC シャワー ヘッドなどの大量の SiC コンポーネントに最適です。


製品の性能と利点:

半導体製造用に設計された CVD SiC シャワー ヘッドは、高温やプラズマ処理に耐えます。正確なガス流量制御と優れた材料特性により、安定したプロセスと長期的な信頼性が保証されます。 CVD SiC の使用により、熱管理と化学的安定性が強化され、半導体製品の品質と性能が向上します。


顧客のニーズへの対応:

CVD SiC シャワー ヘッドは、プロセス ガスを均一に分配し、チャンバーを汚染から保護することにより、エピタキシャル成長効率を高めます。温度制御、化学的安定性、プロセスの一貫性などの半導体製造の課題を効果的に解決し、顧客に信頼できるソリューションを提供します。


アプリケーションシナリオ:

MOCVD装置、Siエピタキシー、SiCエピタキシーに利用され、高品質な半導体デバイス製造をサポートするCVD SiCシャワーヘッド。その重要な役割により、正確なプロセス制御と安定性が保証され、高性能で信頼性の高い製品に対する顧客のさまざまな要件が満たされます。


CVD SiC シャワーヘッドの製品パラメータ:

固体SiCの物性
密度 3.21 g/cm3
電気抵抗率 102 Ω/cm
曲げ強度 590 MPa (6000kgf/cm2)
ヤング率 450 GPa (6000kgf/mm2)
ビッカース硬さ 26 GPa (2650kgf/mm2)
温度安定性(RT-1000℃) 4.0 ×10-6/K
熱伝導率(RT) 250 W/mK


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