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業界ニュース

中国企業がBroadcomと5nmチップを開発していると報じられています。

海外のニュースによると、2人の関係筋は6月24日、バイトダンスが米国のチップ設計会社ブロードコムと協力して高度な人工知能（AI）コンピューティングプロセッサの開発に取り組んでいることを明らかにした。これは、中国との間の緊張の中でバイトダンスがハイエンドチップの適切な供給を確保するのに役立つだろう。そして米国。

三安オプトエレクトロニクス株式会社：8インチSiCチップは12月に生産開始予定！

SiC 業界の大手メーカーとして、Sanan Optoelectronics の関連動向は業界で広く注目を集めています。最近、Sanan Optoelectronics は、8 インチの変革、新しい基板工場の生産、新会社の設立、政府の補助金などを含む一連の最新開発を明らかにしました。

TaC コーティングされたグラファイト部品の単結晶炉への応用

物理的気相輸送 (PVT) 法を使用した SiC および AlN 単結晶の成長では、るつぼ、シードホルダー、ガイドリングなどの重要なコンポーネントが重要な役割を果たします。図 2 [1] に示すように、PVT プロセス中、種結晶は低温領域に配置され、SiC 原料は高温 (2400 ℃ 以上) にさらされます。

SiCエピタキシャル成長炉の異なる技術ルート

炭化ケイ素基板には欠陥が多く、直接加工することができません。チップウェーハを製造するには、エピタキシャルプロセスを通じて特定の単結晶薄膜をそれらの上に成長させる必要があります。この薄膜がエピタキシャル層です。ほとんどすべての炭化ケイ素デバイスはエピタキシャル材料上で実現されます。高品質の炭化ケイ素の均質なエピタキシャル材料は、炭化ケイ素デバイス開発の基礎です。エピタキシャル材料の性能は、炭化ケイ素デバイスの性能の実現を直接決定します。

炭化ケイ素エピタキシーの材料

炭化ケイ素エピタキシャル層の材料は、通常、高出力電子デバイスや LED の製造に使用される炭化ケイ素です。優れた熱安定性、機械的強度、高い導電性により、半導体産業で広く使用されています。

シリコンエピタキシーの特徴

高純度: 化学気相成長 (CVD) によって成長させたシリコンエピタキシャル層は非常に純度が高く、従来のウェーハよりも優れた表面平坦性と低い欠陥密度を備えています。

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