SiC コーティングされたエピレセプター

炭化ケイ素および炭化タンタルコーティングの国内トップメーカーとして、VeTek Semiconductor は、SiC コーティングされたエピサセプターの精密機械加工と均一なコーティングを提供し、コーティングと製品の純度を 5ppm 以下に効果的に制御することができます。製品寿命はSGLと同等です。お問い合わせお待ちしております。

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製品説明

当社の工場からSiCコーティングされたエピサセプターを安心して購入できます。

VeTek Semiconductor SiC コーティングされたエピサセプタは、エピタキシャルバレルであり、多くの利点を持つ半導体エピタキシャル成長プロセス用の特別なツールです。

効率的な生産能力: SiC コーティングされたエピサセプタは複数のウェーハを収容できるため、複数のウェーハを同時にエピタキシャル成長させることができます。この効率的な生産能力により、生産効率が大幅に向上し、生産サイクルとコストが削減されます。

最適化された温度制御: SiC コーティングされたエピサセプタには、必要な成長温度を正確に制御および維持するための高度な温度制御システムが装備されています。安定した温度制御により、均一なエピタキシャル層の成長が達成され、エピタキシャル層の品質と一貫性が向上します。

均一な雰囲気分布: SiC コーティングされたエピサセプタは、成長中に均一な雰囲気分布を提供し、各ウェーハが同じ雰囲気条件にさらされることを保証します。これにより、ウェーハ間の成長の差異が回避され、エピタキシャル層の均一性が向上します。

効果的な不純物制御: SiC コーティングされたエピサセプターの設計により、不純物の導入と拡散を低減します。良好な封止と雰囲気制御を実現し、エピタキシャル層の品質に対する不純物の影響を軽減し、デバイスの性能と信頼性を向上させることができます。

柔軟なプロセス開発: SiC コーティングされたエピサセプタは、成長パラメータの迅速な調整と最適化を可能にする柔軟なプロセス開発機能を備えています。これにより、研究者やエンジニアは、さまざまなアプリケーションや要件のエピタキシャル成長のニーズを満たすために、迅速なプロセス開発と最適化を行うことができます。

CVD SiC コーティングの基本物性:

CVD SiCコーティングの基本物性
財産	標準値
結晶構造	FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度	3.21 g/cm3
硬度	ビッカース硬度 2500（500g荷重）
粒径	2～10μm
化学純度	99.99995%
熱容量	640J・kg-1・K-1
昇華温度	2700℃
曲げ強度	415MPa RT 4点
ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率	300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)	4.5×10-6K-1