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SiCコーティングコレクター底部
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SiCコーティングコレクター底部

VeTek Semiconductor は、CVD SiC コーティング製造の専門知識を活かして、Aixtron SiC コーティング コレクター ボトムを自信を持って提供します。これらの SiC コーティング コレクター底部は高純度グラファイトを使用して構築され、CVD SiC でコーティングされているため、不純物は 5ppm 以下に抑えられます。さらに詳しい情報やお問い合わせについては、お気軽にお問い合わせください。

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製品説明

VeTek Semiconductor は、高品質の CVD TaC コーティングおよび CVD SiC コーティング コレクター ボトムを提供することに尽力し、Aixtron 機器と緊密に連携してお客様のニーズを満たすメーカーです。プロセスの最適化であっても、新製品開発であっても、当社は技術サポートを提供し、お客様のご質問にお答えする準備ができています。

Aixtron SiC コーティング コレクター トップ、コレクター センター、SiC コーティング コレクター ボトムの製品。これらの製品は、高度な半導体製造プロセスで使用される重要なコンポーネントの 1 つです。

Aixtron 装置における Aixtron SiC コーティングされたコレクター トップ、コレクター センター、およびコレクター ボトムの組み合わせは、次の重要な役割を果たします。

熱管理: これらのコンポーネントは優れた熱伝導率を備えており、熱を効果的に伝導できます。熱管理は半導体製造において非常に重要です。コレクタ上部、コレクタ中央、および炭化ケイ素でコーティングされたコレクタ底部の SiC コーティングは、効率的に熱を除去し、適切なプロセス温度を維持し、装置の熱管理を向上させるのに役立ちます。

化学的慣性と耐腐食性: Aixtron SiC コーティングされたコレクタートップ、コレクターセンター、SiC コーティングコレクターボトムは、優れた化学的慣性を備え、化学的腐食と酸化に耐性があります。これにより、過酷な化学環境で長期間安定して動作することが可能となり、信頼性の高い保護層を提供し、コンポーネントの耐用年数を延長します。

電子ビーム (EB) 蒸着プロセスのサポート: これらのコンポーネントは、電子ビーム蒸着プロセスをサポートするために Aixtron 装置で使用されます。コレクタートップ、コレクターセンター、および SiC コーティングコレクターボトムの設計と材料の選択により、均一な膜堆積を実現し、安定した基板を提供して膜の品質と一貫性を確保します。

膜成長環境の最適化: コレクター トップ、コレクター センター、SiC コーティング コレクター ボトムにより、Aixtron 装置の膜成長環境が最適化されます。コーティングの化学的不活性性と熱伝導率は、不純物や欠陥を減らし、膜の結晶品質と一貫性を向上させるのに役立ちます。

Aixtron SiCコーティングされたコレクタトップ、コレクタセンター、SiCコーティングコレクタボトムを使用することで、半導体製造プロセスにおける熱管理と化学的保護を実現し、膜成長環境を最適化し、膜の品質と一貫性を向上させることができます。 Aixtron 装置でこれらのコンポーネントを組み合わせることで、安定したプロセス条件と効率的な半導体生産が保証されます。


CVD SiC コーティングの基本物性:

CVD SiCコーティングの基本物性
財産 標準値
結晶構造 FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度 3.21 g/cm3
硬度 ビッカース硬度2500(500g荷重)
粒径 2~10μm
化学純度 99.99995%
熱容量 640J・kg-1・K-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415MPa RT 4点
ヤング率 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


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