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SiC コーティング カバー セグメント
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SiC コーティング カバー セグメント

Vetek Semiconductor は、CVD SiC コーティングおよび CVD TaC コーティングの進歩と商品化に専念しています。一例として、当社の SiC コーティング カバー セグメントは細心の注意を払って処理され、その結果、非常に高い精度で緻密な CVD SiC コーティングが施されます。高温に対して優れた耐性を示し、腐食に対して堅牢な保護を提供します。ご質問をお待ちしております。

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製品説明

当社の工場からSiCコーティングカバーセグメントを安心して購入できます。

マイクロ LED テクノロジーは、これまで LCD または半導体業界でのみ見られた方法やアプローチにより、既存の LED エコシステムを破壊しています。 Aixtron G5 MOCVD システムは、これらの厳しい拡張要件を完全にサポートします。これは、主にシリコンベースの GaN エピタキシー成長用に設計された強力な MOCVD リアクターです。

Aixtron G5は、水平型遊星ディスクエピタキシーシステムで、主にCVD SiCコーティング遊星ディスク、MOCVDサセプター、SiCコーティングカバーセグメント、SiCコーティングカバーリング、SiCコーティング天井、SiCコーティング支持リング、SiCコーティングカバーディスク、 SiCコーティングエキゾーストコレクター、ピンワッシャー、コレクター入口リングなど

CVD SiC コーティング メーカーとして、VeTek Semiconductor は Aixtron G5 SiC コーティング カバー セグメントを提供しています。これらのサセプタは高純度グラファイトで作られており、不純物が 5ppm 未満の CVD SiC コーティングが施されています。

CVD SiC コーティング カバー セグメント製品は、優れた耐食性、優れた熱伝導性、および高温安定性を示します。これらの製品は化学腐食や酸化に効果的に耐性があり、過酷な環境でも耐久性と安定性を確保します。優れた熱伝導率により効率的な熱伝達が可能となり、熱管理効率が向上します。 CVD SiC コーティングは、高温安定性と熱衝撃に対する耐性により、極端な条件に耐えることができます。グラファイト基材の溶解と酸化を防止し、汚染を軽減し、生産効率と製品品質を向上させます。平坦で均一なコーティング表面は膜成長のための強固な基盤を提供し、格子不整合によって引き起こされる欠陥を最小限に抑え、膜の結晶性と品質を向上させます。要約すると、CVD SiC コーティングされたグラファイト製品は、優れた耐食性、熱伝導性、高温安定性を組み合わせた、さまざまな産業用途に信頼できる材料ソリューションを提供します。


CVD SiC コーティングの基本物性:

CVD SiCコーティングの基本物性
財産 標準値
結晶構造 FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度 3.21 g/cm3
硬度 ビッカース硬度 2500(500g荷重)
粒径 2~10μm
化学純度 99.99995%
熱容量 640J・kg-1・K-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415MPa RT 4点
ヤング率 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


産業チェーン:


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