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SiCコーティングコレクタートップ
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SiCコーティングコレクタートップ

CVD SiC コーティングの信頼できるメーカーである VeTek Semiconductor へようこそ。当社は、高純度グラファイトを使用して専門的に設計され、不純物が 5ppm 未満の最先端の CVD SiC コーティングを備えた Aixtron SiC コーティング コレクター トップを提供することに誇りを持っています。ご質問やお問い合わせがございましたら、お気軽にお問い合わせください

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製品説明

TaC コーティングおよび SiC コーティングの生産における長年の経験を持つ VeTek Semiconductor は、Aixtron システム用の幅広い SiC コーティング コレクター トップ、コレクター センター、コレクター ボトムを供給できます。高品質のSiCコーティングコレクタートップは多くの用途に対応できます。必要に応じて、SiCコーティングコレクタートップに関するオンラインタイムリーなサービスをご利用ください。以下の製品リストに加えて、特定のニーズに応じて独自の SiC コーティング コレクター トップをカスタマイズすることもできます。

SiC コーティング コレクタ トップ、SiC コーティング コレクタ センター、SiC コーティング コレクタ ボトムは、半導体製造プロセスで使用される 3 つの基本コンポーネントです。各製品について個別に説明しましょう。

VeTek Semiconductor SiC コーティング コレクター トップは、半導体堆積プロセスにおいて重要な役割を果たします。これは堆積材料の支持構造として機能し、堆積中の均一性と安定性の維持に役立ちます。また、熱管理にも役立ち、プロセス中に発生する熱を効果的に放散します。コレクタの上部により、堆積材料の正しい配置と分布が確保され、高品質で一貫した膜成長が実現します。

コレクタートップ、コレクターセンター、コレクターボトムのSiCコーティングにより、性能と耐久性が大幅に向上しました。 SiC(炭化ケイ素)コーティングは、優れた熱伝導性、化学的不活性性、耐食性で知られています。コレクタの上部、中央、底部の SiC コーティングは優れた熱管理機能を提供し、効率的な熱放散を確保し、最適なプロセス温度を維持します。また、優れた耐薬品性も備えており、コンポーネントを腐食環境から保護し、耐用年数を延ばします。 SiC コーティングの特性は、半導体製造プロセスの安定性の向上、欠陥の削減、膜品質の向上に役立ちます。


CVD SiC コーティングの基本物性:

CVD SiCコーティングの基本物性
財産 標準値
結晶構造 FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度 3.21 g/cm3
硬度 ビッカース硬度 2500(500g荷重)
粒径 2~10μm
化学純度 99.99995%
熱容量 640J・kg-1・K-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415MPa RT 4点
ヤング率 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


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