SiCコーティンググラファイトMOCVDヒーター

MOCVD は、半導体、オプトエレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス デバイスの製造に広く使用されている精密薄膜成長技術です。 MOCVD 技術により、高品質の半導体材料膜を基板 (シリコン、サファイア、炭化ケイ素など) 上に堆積できます。

MOCVD装置では、SiCコーティンググラファイトMOCVDヒーターが高温反応チャンバー内に均一で安定した加熱環境を提供し、気相化学反応を進行させ、基板表面に目的の薄膜を堆積させます。

VeTek Semiconductor の SiC コーティング グラファイト MOCVD ヒーターは、SiC コーティングが施された高品質のグラファイト材料で作られています。SiC コーティングされたグラファイト MOCVD ヒーターは、抵抗加熱の原理によって熱を生成します。

SiC コーティング グラファイト MOCVD ヒーターの核となるのはグラファイト基板です。外部電源から電流を流し、グラファイトの抵抗特性を利用して発熱させ、必要な高温を実現します。グラファイト基板の熱伝導率は優れており、熱を素早く伝導し、ヒーター表面全体に均一に温度を伝えます。 同時に、SiC コーティングはグラファイトの熱伝導率に影響を与えないため、ヒーターは温度変化に素早く応答し、均一な温度分布を確保できます。

純粋なグラファイトは、高温条件下では酸化しやすいです。 SiC コーティングはグラファイトを酸素との直接接触から効果的に隔離するため、酸化反応を防ぎ、ヒーターの寿命を延ばします。さらに、MOCVD 装置は化学気相成長に腐食性ガス (アンモニア、水素など) を使用します。 SiC コーティングの化学的安定性により、これらの腐食性ガスの浸食に効果的に抵抗し、グラファイト基板を保護できます。

高温下では、コーティングされていないグラファイト材料から炭素粒子が放出される可能性があり、これが膜の蒸着品質に影響を与えます。 SiCコーティングの適用によりカーボン粒子の放出が抑制され、MOCVDプロセスをクリーンな環境で実行できるようになり、高いクリーン度が求められる半導体製造のニーズに応えます。

最後に、SiC コーティング グラファイト MOCVD ヒーターは通常、基板表面の温度を均一にするために円形またはその他の規則的な形状に設計されています。温度均一性は、特に GaN や InP などの III-V 族化合物の MOCVD エピタキシャル成長プロセスにおいて、厚膜の均一な成長にとって重要です。

VeTeK Semiconductor はプロフェッショナルなカスタマイズ サービスを提供します。業界をリードする機械加工および SiC コーティング能力により、当社はほとんどの MOCVD 装置に適した MOCVD 装置用のトップレベルのヒーターを製造できます。

CVD SiCコーティングの基本物性

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