炭化ケイ素でコーティングされたエピサセプタ

半導体エピタキシーとは、気相、液相、分子線蒸着などの方法により、基板材料の表面上に特定の格子構造を持つ薄膜を成長させ、新しく成長した薄膜層（エピタキシャル層）が基板と同じまたは類似の格子構造および配向。 

エピタキシー技術は、半導体製造、特に高性能デバイスの製造に使用される単結晶層、ヘテロ構造、量子構造などの高品質薄膜の調製において極めて重要です。

エピサセプタは、エピタキシャル成長装置で基板を支持するために使用される重要なコンポーネントであり、シリコンエピタキシーで広く使用されています。エピタキシャル台座の品質と性能は、エピタキシャル層の成長品質に直接影響し、半導体デバイスの最終性能に重要な役割を果たします。

VeTek Semiconductorは、CVD法によりSGLグラファイトの表面にSICコーティング層をコーティングし、高温耐性、耐酸化性、耐食性、熱均一性などの特性を備えたSiCコーティングエピサセプタを得ました。

典型的なバレル型リアクターでは、SiC コーティングされたエピ サセプターはバレル構造を持っています。 SiC コーティングされたエピサセプタの底部は回転シャフトに接続されています。エピタキシャル成長プロセス中、時計回りと反時計回りの交互の回転を維持します。反応ガスはノズルを通って反応チャンバーに流入し、その結果、ガス流は反応チャンバー内でかなり均一な分布を形成し、最終的に均一なエピタキシャル層成長を形成します。

SiC被覆黒鉛の質量変化と酸化時間の関係

発表された研究結果は、1400℃および1600℃では、SiCコーティングされたグラファイトの質量はほとんど増加しないことを示しています。つまり、SiCコーティングされたグラファイトは強力な抗酸化能力を持っています。したがって、SiC コーティングされたエピサセプタは、ほとんどのエピタキシャル炉で長期間使用できます。 さらに多くの要件やカスタマイズされたニーズがある場合は、お問い合わせください。当社は最高品質の SiC コーティングされたエピサセプタソリューションを提供することに尽力しています。

CVD SiCコーティングの基本物性

ヴェテック・セミコンダクター炭化ケイ素コーティングされたエピサセプタショップ