CVD SiCフォーカスリング
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CVD SiCフォーカスリング

VeTek Semiconductor は、CVD SiC フォーカス リングの国内大手メーカーおよびサプライヤーであり、半導体業界に高性能、高信頼性の製品ソリューションを提供することに専念しています。 VeTek Semiconductor の CVD SiC フォーカス リングは、高度な化学蒸着 (CVD) 技術を使用しており、優れた高温耐性、耐食性、熱伝導率を備えており、半導体リソグラフィー プロセスで広く使用されています。ご質問はいつでも大歓迎です。

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製品説明

半導体技術は現代の電子機器や情報技術の基盤として、今日の社会に欠かせないものとなっています。スマートフォンからコンピュータ、通信機器、医療機器、太陽電池に至るまで、ほとんどすべての現代技術は半導体デバイスの製造と応用に依存しています。


電子デバイスの機能集積化と性能に対する要求が高まり続けるにつれて、半導体プロセス技術も常に進化し、向上しています。半導体技術の中核として、エッチングプロセスはデバイスの構造と特性を直接決定します。


エッチングプロセスは、半導体表面の材料を正確に除去または調整して、目的の構造や回路パターンを形成するために使用されます。これらの構造は、半導体デバイスの性能と機能を決定します。エッチングプロセスは、高密度、高性能の集積回路(IC)製造の基礎となるナノメートルレベルの精度を達成できます。


CVD SiC フォーカス リングはドライ エッチングの中核コンポーネントであり、主にプラズマを集中させてウェハ表面上の密度とエネルギーを高めるために使用されます。ガスを均一に分配する機能があります。 VeTek Semiconductor は、CVD プロセスを通じて SiC を一層ずつ成長させ、最終的に CVD SiC フォーカス リングを取得します。準備された CVD SiC フォーカス リングは、エッチング プロセスの要件を完全に満たすことができます。


CVD SiC Focus Ring working diagram

CVD SiCフォーカスリングは機械的性質、化学的性質、熱伝導率、耐高温性、耐イオンエッチング性等に優れています。


●高密度によりエッチング量を低減

●バンドギャップが高く、絶縁性に優れています。

●熱伝導率が高く、膨張率が低く、ヒートショックに強い。

●弾性が高く、機械的衝撃耐性に優れています。

●高硬度、耐摩耗性、耐食性が高い。


ヴェテック・セミコンダクターは、中国でトップクラスの CVD SiC フォーカス リング処理能力を備えています。一方、VeTek Semiconductor の成熟した技術チームと営業チームは、お客様に最適なフォーカス リング製品を提供するのに役立ちます。 VeTek 半導体を選択するということは、半導体の限界を押し上げることに尽力している企業と提携することを意味します。CVD炭化ケイ素 革新。


品質、性能、顧客満足度を重視し、半導体業界の厳しい要求を満たすだけでなく、それを超える製品をお届けします。当社の高度な CVD 炭化ケイ素ソリューションを使用して、業務の効率性、信頼性、成功の向上をお手伝いします。


CVD SICフィルムのSEMデータ

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM


CVD SiCコーティングの基本物性

CVD SiCコーティングの基本物性
財産
代表値
結晶構造
FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
SiCコーティングの密度
3.21 g/cm3
SiCコーティング硬度
ビッカース硬度 2500(500g荷重)
粒径
2~10μm
化学純度
99.99995%
熱容量
640J・kg-1・K-1
昇華温度
2700℃
曲げ強度
415MPa RT 4点
ヤング率
430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率
300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)
4.5×10-6K-1

ヴェテック・セミコンダクターCVD SiC フォーカスリング製品ショップ:

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