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ディスクレシーバー
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Vetek Semiconductor は、最先端のグラファイト ディスク サセプタを提供します。 SiC コーティングは、優れた熱安定性、優れた耐薬品性、強化されたプロセス均一性を提供し、最適なパフォーマンスと信頼性を保証します。 Vetek Semiconductor の SiC コーティングされたディスク サセプタで、次のレベルの効率と精度を体験してください。

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製品説明

Vetek Semiconductor のグラファイト ディスク サセプタは、高度な半導体製造プロセス向けの高性能製品です。当社のグラファイト ディスク サセプタは、業界の厳しい要件を満たすように設計されており、優れたパフォーマンスと信頼性を提供します。

このグラファイト ディスク サセプターは、AIX G5 遊星炉プラットフォームの OEM です。

GaN-on-Si MOCVD は LED エピタキシャル製造に使用されており、Aixtron G5 リアクターは MOCVD プラットフォームの歩留まりと均一性を向上させます。標準厚さのシリコン基板を使用し、ウェーハの曲げ挙動を制御することにより、5 枚の 200mm ウェーハ上で完全に回転させた対称的な均一パターンにより、シリコン製造に必要なものが形式化されました。

Vetek Semiconductor の GaN-on-Si MOCVD 用高純度グラファイト ディスク サセプタは、高度な半導体製造プロセス向けの信頼性とコスト効率の高いソリューションです。

当社の高純度グラファイト ディスク サセプタは、GaN-on-Si MOCVD プロセスの要件を満たすように特別に設計されています。優れた熱安定性と耐熱性により、通常 800°C ~ 1100°C の範囲の厳しい温度条件に耐えることができ、蒸着プロセス中の最適なパフォーマンスを保証します。

当社のディスクサセプタに使用されている高純度グラファイト材料は優れた耐薬品性を備えており、GaN-on-Si MOCVD で一般的に使用されるアンモニア (NH3) および有機金属前駆体と互換性があります。これにより、追加の SiC コーティングが不要になり、性能を損なうことなく製造コストが削減されます。

Vetek Semiconductor の高純度グラファイト ディスク サセプタは、品質に妥協することなく、コスト効率の高いソリューションを提供します。その信頼性、耐久性、GaN-on-Si MOCVD プロセスとの互換性により、半導体メーカーにとって好ましい選択肢となっています。 GaN-on-Si MOCVD 製造ニーズに応える高性能グラファイト ディスク サセプタを提供する Vetek Semiconductor を信頼してください。


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半導体チップのエピタキシー産業チェーンの概要:


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