エピウェーハホルダー

VeTek Semiconductor は、中国のエピウェーハホルダーの専門メーカーおよび工場です。エピウェーハホルダーは、半導体プロセスにおけるエピタキシープロセス用のウェーハホルダーです。これはウェーハを安定させ、エピタキシャル層の均一な成長を保証するための重要なツールです。 MOCVDやLPCVDなどのエピタキシー装置に広く使用されています。エピタキシープロセスにおいて欠かせないデバイスです。さらなるご相談を歓迎いたします。

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製品説明

エピウェーハホルダーの動作原理は、エピタキシープロセス中にウェーハを保持して、ウエハース正確な温度とガス流環境にあるため、エピタキシャル材料はウェーハ表面に均一に堆積できます。高温条件下においても、ウェーハ表面の傷やパーティクル汚染などの問題を回避しながら、反応室内にウェーハを強固に固定することができます。

エピウェーハホルダーは通常、炭化ケイ素（SiC）。 SiC は熱膨張係数が約 4.0 x 10^ と低いです。^-6/°C。これは、高温でのホルダーの寸法安定性を維持し、熱膨張によって引き起こされるウェーハ応力を回避するのに役立ちます。 SiC は、優れた高温安定性 (1,200°C ～ 1,600°C の高温に耐えることが可能)、耐食性、熱伝導性 (熱伝導率は通常 120 ～ 160 W/mK) を兼ね備えており、エピタキシャルウェーハホルダーに最適な材料です。。

エピウェーハホルダーはエピタキシャルプロセスにおいて重要な役割を果たします。その主な機能は、高温の腐食性ガス環境で安定したキャリアを提供し、ウェーハが処理中に影響を受けないようにすることです。エピタキシャル成長プロセスエピタキシャル層の均一な成長を確保しながら。具体的には以下の通り:

ウェーハの固定と正確な位置合わせ: 高精度に設計された Epi ウェーハホルダーはウェーハを反応チャンバーの幾何学的中心にしっかりと固定し、ウェーハ表面が反応ガス流に対して最適な接触角を形成するようにします。この正確な位置合わせにより、エピタキシャル層の堆積の均一性が保証されるだけでなく、ウェーハの位置ずれによって引き起こされる応力集中も効果的に軽減されます。

均一加熱と熱場制御: 炭化ケイ素 (SiC) 材料の優れた熱伝導率 (熱伝導率は通常 120 ～ 160 W/mK) により、高温のエピタキシャル環境でウェーハに効率的な熱伝達が提供されます。同時に、加熱システムの温度分布を細かく制御して、ウェーハ表面全体の温度を均一にします。これにより、過度の温度勾配によって引き起こされる熱応力が効果的に回避され、ウェーハの反りやクラックなどの欠陥が発生する可能性が大幅に減少します。

粒子汚染の制御と材料の純度：高純度SiC基板とCVDコーティングされたグラファイト材料の使用により、エピタキシープロセス中のパーティクルの発生と拡散が大幅に減少します。これらの高純度材料は、エピタキシャル層の成長にクリーンな環境を提供するだけでなく、界面欠陥の低減にも役立ち、それによってエピタキシャル層の品質と信頼性が向上します。

耐食性：ホルダは、使用される腐食性ガス（アンモニア、トリメチルガリウム等）に耐える必要があります。MOCVDSiC 材料の優れた耐食性は、ブラケットの耐用年数を延長し、製造プロセスの信頼性を確保するのに役立ちます。

VeTek Semiconductor はカスタマイズされた製品サービスをサポートしているため、Epi ウェーハホルダーはウェーハのサイズ (100mm、150mm、200mm、300mm など) に基づいてカスタマイズされた製品サービスを提供できます。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを心から願っています。

CVD SIC膜の結晶構造のSEMデータ:

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SiCコーティングの基本物性：

CVD SiCコーティングの基本物性
財産	代表値
結晶構造	FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度	3.21 g/cm3
硬度	ビッカース硬度2500（500g荷重）
粒径	2～10μm
化学純度	99.99995%
熱容量	640J・kg^-1・K^-1
昇華温度	2700℃
曲げ強度	415MPa RT 4点
ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率	300W・m^-1・K^-1
熱膨張(CTE)	4.5×10-6K^-1