CVD TaCコーティングされた3枚花びらガイドリング

VeTek Semiconductor は長年にわたる技術開発を経験し、CVD TaC コーティングの最先端のプロセス技術を習得しました。 CVD TaC コーティングされた 3 ペタルガイドリングは、VeTek Semiconductor の最も成熟した CVD TaC コーティング製品の 1 つであり、PVT 法で SiC 結晶を調製するための重要なコンポーネントです。 VeTek Semiconductor の支援により、SiC 結晶の生産がよりスムーズかつ効率的になると思います。

お問い合わせを送信

製品説明

炭化ケイ素単結晶基板材料は、ワイドバンドギャップ半導体材料に属する結晶材料の一種です。高耐電圧、高温耐性、高周波、低損失などの利点があり、高出力電力電子機器やマイクロ波高周波機器の製造のための基礎材料です。現在、SiC結晶を成長させる主な方法は、物理気相輸送法（PVT法）、高温化学気相成長法（HTCVD法）、液相法などです。

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

PVT 法は比較的成熟した方法であり、工業的な大量生産に適しています。るつぼの上部にSiC種結晶を、るつぼの底に原料となるSiC粉末を配置することで、高温低圧の密閉環境下でSiC粉末が昇華し、近傍まで上方に移動します。温度勾配と濃度差の作用下で種結晶を成長させ、過飽和状態に達した後に再結晶させることで、SiC 結晶サイズと特定の結晶タイプの制御可能な成長を実現できます。

CVD TaC コーティングされた 3 枚花びらガイドリングの主な機能は、流体力学を改善し、ガスの流れをガイドし、結晶成長領域が均一な雰囲気を得るのを助けることです。また、効果的に熱を放散し、SiC 結晶の成長中の温度勾配を維持することで、SiC 結晶の成長条件を最適化し、不均一な温度分布によって引き起こされる結晶欠陥を回避します。

CVD TaCコーティングの優れた性能

● 超高純度: 不純物や汚染の発生を防ぎます。

● 高温安定性: 2500℃を超える高温安定性により、超高温動作が可能になります。

● 化学的環境耐性: H(2)、NH(3)、SiH(4)、Si に対する耐性があり、過酷な化学環境での保護を提供します。

● 毛抜けなく長寿命: グラファイトボディとの強力な結合により、内部コーティングが剥がれることなく長いライフサイクルを確保できます。

● 耐熱衝撃性: 耐熱衝撃性により動作サイクルが短縮されます。

●厳しい寸法公差: コーティング被覆率が厳密な寸法公差を確実に満たすようにします。

VeTek Semiconductor には、お客様に最適な製品とソリューションをカスタマイズできる、専門的で成熟した技術サポートチームと営業チームがいます。 VeTek Semiconductor は、プリセールスからアフターセールスまで、最も完全かつ包括的なサービスを提供することに常に取り組んでいます。

TaCコーティングの物性

TaCコーティングの物性
TaCコーティング密度	14.3 (g/cm3)
比放射率	0.3
熱膨張係数	6.3 10^-6/K
TaCコーティング硬度(HK)	2000 香港
抵抗	1×10^-5オーム*センチメートル
熱安定性	<2500℃
グラファイトのサイズ変更	-10~-20μm
コーティングの厚さ	≥20um 代表値 (35um±10um)
熱伝導率	9-22(W/m・K)