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SiCセラミックスウエハーボート
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SiCセラミックスウエハーボート

VeTek Semiconductor は、中国の大手 SiC セラミック ウェーハ ボート サプライヤー、メーカー、工場です。当社の SiC セラミックス ウェーハ ボートは、太陽光発電、エレクトロニクス、半導体産業に対応する高度なウェーハ ハンドリング プロセスにおいて重要なコンポーネントです。ご相談をお待ちしております。

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製品説明

VeTek 半導体 SiC セラミックスウエハーボートは、炭化ケイ素技術における最先端のイノベーションを実証し、高性能ウェーハ処理のための堅牢なソリューションを提供します。炭化ケイ素構造により、優れた耐久性と熱応力に対する卓越した耐性が保証され、現代の製造環境の極限条件に耐えることができます。高温から過酷なプラズマ衝撃まで、炭化ケイ素ウェーハボートはその構造的完全性を維持し、長期間にわたる一貫した信頼性の高い動作を保証します。

SiC Ceramics Wafer Boat working diagram


E優れた性能を実現するように設計された SiC セラミックス ウェーハ ボートは、化学腐食に対して顕著な耐性を示し、攻撃的な化学物質や反応性プラズマへの曝露が必要な用途に最適です。この属性は、材料の純度や安定性を維持することが最重要である拡散、酸化、アニーリングなどのプロセスにとって重要です。 SiC セラミックス ウェーハ ボートの耐摩耗性と耐変形性はその魅力をさらに高め、要求の厳しいウェーハ生産シナリオにおいて信頼できる資産であり続けることを保証します。


SiCウェーハボートは優れた熱伝導率により効率的に熱を放散し、ウェーハ処理中の均一な温度分布を促進します。この特性は、結晶成長やその他の温度に敏感な操作において特に有益であり、ウェーハ損傷のリスクを最小限に抑え、製品歩留まりの向上に貢献します。耐荷重能力が高いため、ウェーハの大きな荷重にも曲がったり反ったりすることなく対応でき、生産プロセス全体を通じて正確な位置合わせと取り扱いが保証されます。


太陽電池の生産において、SiC ボートは次のような重要な段階をサポートします。結晶の成長と拡散エネルギー変換効率の向上に貢献します。半導体製造において、次世代デバイスに必要な高純度を維持するための重要なコンポーネントです。さらに、エレクトロニクス製造におけるその役割は、最適な生産結果を達成する上での多用途性と信頼性を強調します。


グラファイトやセラミックなどの従来の材料と比較して、SiC 炭化ケイ素セラミックス ウェーハ ボートは比類のない利点を提供します。寿命が長く、機械的磨耗に強いため、メンテナンスの必要性と運用の中断が大幅に軽減され、コストが削減され、生産性が向上します。この材料は熱的および化学的安定性が高いため、さまざまな困難な環境において代替品よりも優れた性能を発揮します。


VeTek 半導体は、すべての製造プロセスに固有の要件があることを理解しています。そのため、当社は、SiC セラミックス ウェーハ ボートに、カスタマイズされた寸法、構造設計、その他の特定の機能を含む包括的なカスタマイズ オプションを提供しています。この適応性により、さまざまな製造セットアップへのシームレスな統合が保証され、特定のニーズに合わせた最適なパフォーマンスが可能になります。


VeTek 半導体を選択するということは、炭化ケイ素のイノベーションの限界を押し上げることに尽力している企業と提携することを意味します。品質、性能、顧客満足度を重視し、半導体業界の厳しい要求を満たすだけでなく、それを超える製品をお届けします。当社の高度な機能を活用して、業務の効率性、信頼性、成功をさらに向上できるようお手伝いいたします。SiC炭化ケイ素セラミックsウェーハボートソリューション。


再結晶炭化ケイ素の物性

再結晶炭化ケイ素の物性
財産代表値 代表値
使用温度(℃)
1600℃(酸素あり)、1700℃(還元雰囲気)
SiC含有量
> 99.96%
無料のSiコンテンツ
< 0.1%
かさ密度
2.60~2.70g/cm3
見かけの気孔率
< 16%
圧縮強度
> 600MPa
冷間曲げ強度
80~90MPa(20℃)
熱間曲げ強度
90~100MPa(1400℃)
熱膨張 @1500°C
4.70 10-6/℃
熱伝導率 @1200°C
23 W/m・K
弾性率
240GPa
耐熱衝撃性
非常に良い

VeTek 半導体 SiC セラミックス ウェーハ ボート製品ショップ

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