VeTek Semiconductor は超高純度の炭化ケイ素コーティング製品の製造を専門とし、これらのコーティングは精製グラファイト、セラミック、高融点金属コンポーネントに適用されるように設計されています。
当社の高純度コーティングは、主に半導体およびエレクトロニクス産業での使用をターゲットとしています。これらは、ウェーハ キャリア、サセプタ、および加熱要素の保護層として機能し、MOCVD や EPI などのプロセスで遭遇する腐食性および反応性環境からそれらを保護します。これらのプロセスは、ウェーハ処理とデバイス製造に不可欠です。さらに、当社のコーティングは、高真空、反応性、酸素環境にさらされる真空炉やサンプル加熱での用途に適しています。
VeTek Semiconductor では、高度な機械工場の機能を備えた包括的なソリューションを提供します。これにより、グラファイト、セラミック、または高融点金属を使用して基本コンポーネントを製造し、社内で SiC または TaC セラミック コーティングを適用することが可能になります。また、お客様支給部品の塗装サービスも行っており、多様なニーズに柔軟に対応いたします。
当社の炭化ケイ素コーティング製品は、Siエピタキシー、SiCエピタキシー、MOCVDシステム、RTP/RTAプロセス、エッチングプロセス、ICP/PSSエッチングプロセス、青色および緑色LED、UV LED、深紫外を含むさまざまなタイプのLEDのプロセスで広く使用されています。 LPE、Aixtron、Veeco、Nuflare、TEL、ASM、Annialsys、TSIなどの機器に適合するLEDなど。
CVD SiCコーティングの基本物性 | |
財産 | 代表値 |
結晶構造 | FCC β 相多結晶、主に (111) 配向 |
密度 | 3.21 g/cm3 |
硬度 | ビッカース硬度 2500(500g荷重) |
粒径 | 2~10μm |
化学純度 | 99.99995% |
熱容量 | 640 J·kg-1·K-1 |
昇華温度 | 2700℃ |
曲げ強度 | 415MPa RT 4点 |
ヤング率 | 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃ |
熱伝導率 | 300W・m-1・K-1 |
熱膨張(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VeTek Semiconductor の SiC コーティングされた半導体サセプタ ブロックは、信頼性と耐久性に優れたデバイスです。安定した性能と長寿命を維持しながら、高温や過酷な化学環境に耐えるように設計されています。優れたプロセス能力により、半導体サセプタブロック SiC コーティングは交換やメンテナンスの頻度を減らし、生産効率を向上させます。皆様と協力できる機会を楽しみにしています。
続きを読むお問い合わせを送信VeTek Semiconductor は、中国におけるカスタマイズされた超高純度グラファイト ローワー ハーフムーンの大手サプライヤーであり、長年にわたり先端材料を専門としています。当社の超高純度グラファイト ローワー ハーフムーンは、SiC エピタキシャル装置用に特別に設計されており、優れた性能を保証します。超高純度の輸入グラファイトで作られており、信頼性と耐久性を備えています。中国の工場を訪れて、高品質のウルトラピュアグラファイトローワーハーフムーンを直接ご覧ください。
続きを読むお問い合わせを送信VeTek Semiconductor は、中国でカスタマイズされたアッパーハーフムーン部品の SiC コーティングの大手サプライヤーであり、20 年以上にわたり先端材料を専門としています。 VeTek Semiconductor 上部ハーフムーン部品 SiC コーティングは、SiC エピタキシャル装置用に特別に設計されており、反応チャンバーの重要なコンポーネントとして機能します。超高純度の半導体グレードのグラファイトで作られており、優れたパフォーマンスを保証します。ぜひ中国の工場を訪問してください。
続きを読むお問い合わせを送信VeTek Semiconductor は、中国のカスタマイズされた炭化ケイ素エピタキシー ウェーハ キャリアの大手サプライヤーです。当社は 20 年以上、先端材料に特化してきました。当社は、SiC 基板を搬送し、SiC エピタキシャル リアクターで SiC エピタキシー層を成長させるための炭化ケイ素エピタキシー ウェーハ キャリアを提供しています。この炭化ケイ素エピタキシーウェーハキャリアは、半月部分の耐高温性、耐酸化性、耐摩耗性の重要なSiCコーティング部分です。中国の工場を訪問することを歓迎します。
続きを読むお問い合わせを送信VeTek Semiconductor の SiC コーティング MOCVD サセプタは、優れたプロセス、耐久性、信頼性を備えたデバイスです。高温や化学的環境にも耐え、安定した性能と長寿命を維持することで、交換やメンテナンスの頻度を減らし、生産効率を向上させます。当社の MOCVD エピタキシャル サセプタは、高密度、優れた平坦性、優れた熱制御で知られており、過酷な製造環境で推奨される装置となっています。ご協力をお待ちしております。
続きを読むお問い合わせを送信VeTek Semiconductor の SiC コーティング ICP エッチング キャリアは、最も要求の厳しいエピタキシー装置アプリケーション向けに設計されています。高品質の超高純度グラファイト材料で作られた当社の SiC コーティング ICP エッチングキャリアは、非常に平坦な表面と優れた耐食性を備えており、取り扱い時の過酷な条件に耐えます。 SiC コーティングされたキャリアの高い熱伝導率により、均一な熱分布が保証され、優れたエッチング結果が得られます。 VeTek Semiconductor は、お客様と長期的なパートナーシップを構築できることを楽しみにしています。
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