炭化タンタルリング

VeTek Semiconductor の炭化タンタル (TaC) リングは、コア材料として高品質のグラファイトを使用しており、その独自の構造により、結晶成長炉の極限条件下でもその形状と機械的特性を維持することができます。グラファイトの高い耐熱性により、全期間にわたり優れた安定性を実現します。結晶成長プロセス.

TaCリングの外層は、炭化タンタルコーティングは、非常に高い硬度、3880°C 以上の融点、優れた耐化学腐食性で知られる材料であり、特に高温の動作環境に適しています。炭化タンタル コーティングは強力なバリアを提供し、激しい化学反応を効果的に防止し、グラファイト コアが高温の炉ガスによって腐食されないようにします。

その間炭化ケイ素（SiC）の結晶成長安定した均一な成長条件は、高品質の結晶を確保するための鍵です。炭化タンタル コーティング リングは、ガスの流れを調整し、炉内の温度分布を最適化する上で重要な役割を果たします。 TaC リングはガスガイドリングとして、熱エネルギーと反応ガスの均一な分布を確保し、SiC 結晶の均一な成長と安定性を確保します。

さらに、グラファイトの高い熱伝導率と炭化タンタルコーティングの保護効果により、TaC ガイドリングは SiC 結晶成長に必要な高温環境でも安定して動作します。その構造強度と寸法安定性は、炉内の状態を維持するために非常に重要であり、生成される結晶の品質に直接影響します。 TaC コーティング リングは、炉内の熱変動と化学反応を低減することで、高性能半導体アプリケーション向けに優れた電子特性を備えた結晶を生成するのに役立ちます。

VeTek Semiconductor のタンタルカーバイドリングは、炭化ケイ素結晶成長炉耐久性、熱安定性、耐薬品性に​​優れています。グラファイトコアとTaCコーティングの独自の組み合わせにより、過酷な条件下でも構造の完全性と機能を維持できます。 TaC コーティング リングは、炉内の温度とガス流を正確に制御することにより、最先端の半導体コンポーネントの製造に不可欠な高品質の SiC 結晶の製造に必要な条件を提供します。

微細断面に炭化タンタル（TaC）コーティング：